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低电压射频微机电系统开关及其封装结构

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低电压射频微机电系统开关及其封装结构

  本实用新型涉及一种低电压射频微机电系统开关及其封装结构,包括:一射频微机电系统开关;开云真人 开云真人网址一加盖层,覆盖于所述的射频机电系统开关上;一密封层,覆盖于所开云网站 开云真人官网述的加盖层上。其中加盖层上可开有腐蚀通道。加盖层还可为一层高分子加盖层。本实用新型中的系统开关含有多个驱动电极,增强了和传统集成电路集成的可能性,本实用新型提供了一种新型气相可渗透高分子保护层概念,不在保护层上开孔或者通道,简化了工艺。同时采用本实用新型的封装结构,减小了微机电系统在制造中被损毁的机率,提高了成品率。

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  未缴年费专利权终止IPC(主分类):H01P 1/10申请日:20090619授权公告日:20100526终止日期:20110619

  党兵,王国安.低电压射频微机电系统开关及其封装结构[P].H01P1/10(2006.01):CN201490302U,2009-06-19.

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