T型三电平拓扑与I型三电平拓扑，效率究竟哪个拓扑更好？ 经常有相关资料总结：当开关频率小于16kHZ的时候，T型NPC的效率比I型NPC效率高；当开关频率高于16KHz的时候，I型NPC的效率会更高。

　　从上图中可以看出，在频率较高的时候，I型三电平效率会高于T型三电平；在低频段T型三电平的效率会更高些。分界点大约在6KHZ左右。I型效率就比T型略高。同时，对于两电平结构，效率明显低得多。不过这些计算受器件得影响极大。比如上面I型三电平得IGBT如果T1&T4 和T2&T3的芯片类型调换以下，效率就会降低很多，甚至在开云真人官方网站 云开真人频率较高的时候效率仍然低于T型。

　　针对硅基的IGBT来讲。当我们讨论IGBT模块的损耗的时候，需要关注的主要时输出特征曲线为例）。下图左侧是IGBT的输出特性曲线决定了器件的导通损耗，对于导通损耗由于器件的特性，两个650V的IGBT串联的饱和压降一般是远大于单个1200V器件的；右侧是IGBT的开关损耗特性曲线，决定了器件的开关损耗。一般的，开关损耗与IGBT两端电压相关，开关电压降低一般，开关损耗也至少降低一半。同等电压情况下，低压IGBT的开关损耗也是低压高压IGBT的。对于DIDOE也是类似的曲线以及相同的特性。

　　对于I型三电平结构，低压器件在半电压情况下产生的损耗较小，主要是T1和D5以及负半周期对应的T4和D6作为主要开关管。减小和优化他们的开关损耗有助于提高系统效率。T2管在逆变周期几乎没有开关过程，因此设计低饱和压降的管子有利于提高系统效率。对于整个拓扑而言，由于所有的导通回路都有两个器件串联，因此导通损耗较大；所有的开关器件都是低压器件，且在半电压情况下开关，损耗较小。

　　对于T型三电平结构，T1为高压器件，开关损耗比两电平小，但是比I型要打。续流阶段的二极管反向恢复损耗和I型类似，但是相对两电平是低压器件且半电压反向恢复，损耗要小得多。T1和D2以及负半周期对应的T4和D3作为主要开关管采用低损耗二极管有助于提高系统效率。同样，T2在逆变周期也几乎没有开关过程，因此低饱和压降的管子有利于提供系统效率。对于整个拓扑而言，比I型拓扑有低导通的优势，仅在开关损耗上差一点，而相对两电平，T型结构导通损耗在高调制度的时候几乎和两电平没有差别，而开关损耗要低得多。

　　总的来讲，T型三电平和两电平结构相似，损耗却可以很大的优化可以取代两电平结构。

　　对应I 型和T型两种三电平结构，会存在一个频率点，二者效率相同。这主要是由半导体特性决定的，而不是单单是拓扑的特性，也不会是一个固定值。由于半导体器件的特性也决定了I型的导通损耗偏高，而开关损耗偏小。T型导通损耗相对小一些，但是开关损耗也相对大一些。

　　T型相对两电平，导通损耗会高一些，而开关损耗却要低很多。两位，在较高调制度情况下，T型三电平结构有较小的导通损耗，因此三电平优势较为明显。

　　三电平比两电平效率高！！！！！!！！！！！！！！！！！！!！ 通常在某个开关频率下，T型拓扑效率大于I型；反之则I型效率大于T型。（这个频率常见6~16KHZ).