自2022年以来，人们普遍认为氮化镓芯片比碳化硅（SiC）芯片更昂贵，但这一情况已经发生了逆转。

　　GaN功率器件是可以实现高电子迁移率的晶体管（HEMT）。HEMT是一种场效应晶体管（FET），与同等尺寸的硅功率晶体管相比，HEMT具有更低的导通电阻和更快的开关速度。这一优势使得功率转换更加节能且节省空间。在硅衬底上生长的GaN模块还可以利用现有的硅制造能力。

　　德州仪器的GaN解决方案具备高效率、功率密度和可靠性的特性，TI的GaN产品组合包括控制器驱动器和稳压器，通过端到端功率转换和5MHz的开关频率来降低功耗。

　　通过提高功率密度、最大化dV/dt抗扰度以及优化驱动强度，TI的GaN解决方案可以降低噪声并提高效率。

　　例如，使用LMG3410 600V GaN功率级供电的高电压、高效率PFC和LLC参考设计，以及使用LMG5200 80V GaN功率级的多级48V功率转换设计。

　　TI的GaN生态系统支持新颖独特的拓扑结构，同时减少了设计障碍。模拟和数字GaN FET控制器与TI的GaN功率级和分立GaN FET无缝配对，为工程师提供了更灵活、高效的设计选择。

　　氮化镓芯片的价格低于其SiC对手，而德州仪器在达拉斯和会津的工厂转换完成后，将能够提供更便宜的解决方开云真人 开云真人网址案。

　　TI正在将其6英寸晶圆工厂转换为8英寸，然后再将8英寸工厂转换为12英寸。更大的晶圆意味着更多的芯片，这将为公司带来生产效率的提升。预计达拉斯工厂的升级将在2025年完成，会津工厂的时间表还没有透露。

　　德州仪器的这一举措可能导致氮化镓芯片的整体价格下降，其功率管理IC的生产从8英寸转换为12英寸时，芯片的价格在整个行业范围内下降了。转换为8英寸预计将使德州仪器节省成本超过10％。

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　　：汽车需求走弱 /

　　镓 (GaN) 系列新品，可助力提高功率密度，大幅提升系统效率，同时缩小交流/直流消费类电力电子产品和工业系统的尺寸。

　　器件可以在同一衬底上集成多个器件，使得单片式电源系统可以更直接、更高效和

　　的存在。1875年，德布瓦博德兰（Paul-Émil开云真人 开云真人网址e Lecoq de Boisbaudran）在巴黎被发现

　　的设计和集成度，已经被证明可以成为充当下一代功率半导体，其碳足迹比传统的硅基器件要低10倍。据估计，如果全球采用硅

　　为单开关电路准谐振反激式带来了低电荷（低电容）、低损耗的优势。和传统慢速的硅器件，以及分立

　　3 倍的充电速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量节约方面，它最高能节约 40% 的能量。 更快：

　　来源：满天芯，谢谢 试图在行业复苏前的至暗时刻，抢占更多市场份额。 编辑：感知芯视界 据财联社报道，

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