本文参考了TI的方案，但是个人目前不建议选择TI的方案，除非你能解决技术问题或者自己调试。

　　什么叫电源开关器件呢！简单的电源系统只需要开关电源、LDO这种进行电源变换就可以了，但是在复杂系统里面呢，我们要考虑到电源监测、上电时序、浪涌电流控制、电源冗余备份以及失效保护等设计。

　　我们简单地将电源系统的中的有源部件分为三类，一类是电源变换，他们负责提供能量，常见的就是开关电源和LDO；第二类就是电源监测，比如电压监测、电流检测、库仑计等；第三类就是我们今天讲的电源开关器件，他们就是利用MOSFET的开关特性实现电路控制和保护。

　　我第一次设计稍微复杂一点板子的时候好多都不懂，系统中的缺陷一大堆，当时主要就是对这些开关器件不了解，只知道用二极管和MOSFET来进行控制。

　　TI出了一本白皮书叫《11 Ways to Protect Your Power Path 》，里面详细介绍了TI提供的各种电源开关相关功能的控制器，当然ADI也有大量的相关器件，但是这里器件种类复杂，刚开始的接触的时候并不容易搞清楚他们的作用、关系和使用场景及要点。这也就是本文的主要目的。

　　这张图很清晰易懂，接下来我就按照这张图进行介绍，也会补充点东西，夹带点我自己的设计经验。

　　首先我做了下面这张脑图，对各种开关器件进行了分类整理和描述，我相信看完这张图其实基本上就已经差不多理解所有的东西了。此处值得你双击屏幕点赞！

　　Power Distribution负责电源网络的分配，其功能是将电源分配给不同的负载。

　　控制负载通断不是很容易吗，为什么要一个控制器呢。在一个复杂数字系统中，我们要控制上电时序，要保证上电瞬间电流不要太大，还要保证负载在被切断后，上面的能量迅速被吸收，防止引起时序错误。

　　负载开关是可打开和关闭电源轨的电子开关。当内部FET导通时，电流从输入流向输出，并将功率传递至下游电路。使能该器件后，可以通过调节外部引脚（CT引脚）上的电容来控制输出电压（VOUT）的上升时间。禁用该器件时，可通过快速输出放电（QOD）控制VOUT的下降时间。每当关闭供电电源时，QOD都会将输出拉至地，以防止输出浮动或进入不确定状态。下图是负载开关的原理示意图。

　　在希望最大程度地减少电流耗散和提高电源效率的应用如电池供电应用中，节电至关重要。通过断开负载或子系统的电源，该开关可将非活动负载的功率降至最低。

　　电源时序对于需要按特定顺序打开和关闭各个电压轨的应用非常重要。通过配置CT和QOD引脚，可以调整上升和掉电时序。

　　浪涌电流控制可保护在负载附近包含大容量电容器的系统。最初给系统供电时，对这些电容器进行充电会导致较大的浪涌电流，超过额定负载电流。如果不加以解决，这可能会导致电压轨由于压降而掉落至不规范状态，从而导致系统进入不良状态。负载开关可以通过使用CT引脚管理电开云真人平台 开云真人官方入口源轨的上升时间来减轻浪涌电流。

　　PowerMUX叫功率复用开关，其实就是电源的多路器，允许系统在不同电源之间无缝转换。如果主电源出现故障，则电源多路复用允许系统切换到备用电源，以保持工作条件，经常用在包含电池的系统中。

　　Power Mux可以为在两个不同电压下工作的子系统提供两个不同电压电平之间的切换，可以防止反向电流从VOUT流入VIN通道，反向电流保护电路会阻止电流流回通过体二极管。

　　Power Mux一般在设计上包含了电流限制功能。如果电流超过开关设置的阈值，则开关会钳位通道并防止电流超过限制。

　　此外，如果电流限制迫使设备达到更高的温度，则热关断将关闭开关，直到它可以再次在安全条件下运行。与负载开关类似，电源MUX开关也包含浪涌电流控制，以防止发生大的瞬态电流事件。

　　Power MUX可以通过手动，自动方式在不同的电源轨之间切换。手动切换通过外部GPIO进行，每当用户想要在电源轨之间切换时，使能引脚就会切换，并且输出将由另一个电源轨供电。每当主电源出现故障或断开连接时，就会发生自动切换。当设备检测到电压降时，它将自动切换到备用电源轨。

　　Oring的意思就是“或逻辑”，表示任意一个输入电源在工作的时候负载上就会有电源，可以正常工作。它和Power Mux的区别在于多个输入电源是可以同时向负载供电的。

　　在电源的输入端施加保护，可以防止输入电源过高导致负载被损坏，也可以在负载短路的时候保护上游器件或者功能不受影响。

　　eFuse是集成的电源保护开关，可在故障事件期间提供电压和电流保护。其中包括短路，过流，过压，欠压和过温等事件，否则可能会损坏下游负载。

　　在短路瞬变事件期间，通过eFuse的电流会非常迅速地增加。eFuse启用了快速跳闸电流阈值，该阈值可在不到200ns的时间内终止这种快速增加，从而保护了电源。如果输入（VIN）上发生过压事件，则eFuse监视内部FET两端的电压并钳位输出电压，直到输入降至过压阈值以下。eFuses还带有内置的过热保护，如果结温超过150°C（典型值），该过热保护会关闭FET。结温降低后，eFuse保持关闭状态（闩锁版本）或尝试重新启动设备（自动重试版本）。eFuse提供了许多类似于负载开关的附加功能，包括可调的浪涌电流控制和反向电流保护。

　　在将设备插入带电电源或从带电电源中拔出时，可能会在初始电容器充电期间看到非常大的电流尖峰。eFuse和hotswap(后面会提到)可确保安全插入和操作这些系统。与热插拔控制器不同，eFuse包含一个集成FET，可最大程度地减小整体解决方案的尺寸。这允许eFuse在诸如功率复用之类的应用中使用。

　　在设计过程中，我不可以避免会遇到在系统已经工作的情况下，将某个板卡或者子系统直接插入到系统中，这时候子系统中的电压为零，在插入瞬间会打火花，有可能损坏器件，子系统往往有很大的输入电容，电容充电过程中会吸收大量的电流，导致系统电源负荷过高，甚至有可能导致系统崩溃。基于这两点，我们需要对子系统的上电过程进行控制。Hot Sweep就是用于这种情况。

　　Hot swap 控制器会监视MOSFET两端的电压和输入的电流。如果电流过高，则栅极电压会降低并限制流向下游的电流。如果跨FET消耗的功率超过了可编程功率极限，则降低栅极电压以降低流经RSNS的电流。只要输入电压不在规定的阈值之内，过压和欠压引脚也会切断输出电压。

　　热插拔控制器驱动一个外部MOSFET，以保护系统免受热插拔事件的影响。外部MOSFET允许热插拔控制器在比eFuse器件更高的电压和电流下工作。

　　热插拔控制器的设计要点在于保证MOSFET工作在安全区内。这里就涉及到MOSFET一个非常总要的系统指标就是SOA，一般的初级设计中不会遇到这个问题，而这也是我们经常烧掉MOSFET的主要原因。

　　二极管我们大家都熟悉，用于控制电流的单向流动。在电源设计里面我们也经常使用二极管防止电流反向，从而实现电源合路等功能。但是在电源里面串入二级管会有两个问题，第一个问题显而易见，就是二级管的压降，尽管我们会选用肖特基的二级管适用于大电流场合，但是压力依然不可忽视，假设工作电流是2A，二级管的压降是0.5V，那么我们将在二级管上损耗1w的功率，这是非常惊人的，即便不考虑功耗损失考虑，那么二级管的散热也是个问题。第二个问题就是中高级设计者会考虑的问题了，那就是二级管的反向漏电流，这个指标在常温下往往很低，普通二级管可以做到几十uA，但是在高温下，这个数值会剧烈上升，甚至达到数十mA。首先这回带来功耗损失，在低功耗系统尤其要注意，其次是这个漏电流足以驱动有些芯片，或者压监测电路，导致二级管防止反向的功能失效。笔者在这方面吃过亏的，也多次目睹同事的设计中出现过这样的失误。

　　那么理想二级管就是使用MOSFET来实现，可以有效地降低压降，避免大电流场景下的功耗损失。当然漏电流问题依然是需要设计者考量计算的。下图就是理想二级管的功能框图。

　　理想的二极管控制器控制外部FET，并且与常规二极管类似，只要发生反向电压事件，就可以阻止反向电流。每当发生这些事件之一时，控制器就会关闭FET并使用体二极管来防止任何瞬变损坏上游组件。控制器还可以使用相同的方法来防止输入（VIN）上的接地短路。

　　理想的二极管控制器还可以防止极性接反的情况，这种情况通常是由于电池连接错误或电源接线错误引起的。如果用户不小心将VIN上的极性切换了，则可以包括一个从控制器到地的附加二极管，以防止损坏IC或电源。该控制器还大大降低了通常在二极管上发现的功耗。通过驱动外部FET而不是二极管，可以将二极管解决方案中常见的压降降至最低。

　　在输出端我们会遇到切断负载的需要，但是切断负载并不是那么简单的事情，一个很简单的问题是断开电源线呢，还是断开地线？这两者有什么区别？这就是我们要将的高侧开关和低侧开关。

　　高边开关就是用MOSFET断开电源线。一般带有电流限制功能，使系统可以针对特定的负载进行最佳设计。通过连接一个外部电阻器来设置电流限制阈值，高边开关可以保护负载和电源在短路到地事件或上电条件下不会过应力。通过最小化瞬态电流和电源下降，可以实现更可靠的设计。达到阈值时，闭环将激活并将输出电流钳位到设定值，然后在CS引脚上报告故障。

　　这些开关还提供高精度的电流感应，以提供对系统的实时诊断。电流镜从VIN获得电流，并将其反映为电流检测（CS）引脚上的电压。CS引脚不需要校准，可以用作诊断报告引脚。每当发生开路负载或短路时，CS引脚上的电压就会降至0V。每当发生电流限制，热事件，或者在关断状态下发生开路负载或短路时，电压都会上拉至其最大阈值。高精度电流监控和可调电流限制非常适合工业应用，例如可编程逻辑控制器，电机阀，伺服驱动器和控制单元。

　　高边开关的另一功能是抛负载保护，它使这些设备可以直接连接到汽车的12V电池，而无需担心典型的电压和电流瞬变。额外的保护措施包括减轻大的浪涌电流事件，否则会损坏下游组件。

　　低侧开关内部反激二极管可防止感应瞬变损坏电路和组件。只要开关断开，电感瞬变就会流过反激二极管，并在整个负载中耗散。低侧开关非常适合电动机、螺线管和继电器的应用。

　　低边开关由两种设计组成：达林顿对阵列和低侧MOSFET解决方案。由于集成BJT的额定电压更高，达林顿对解决方案可以支持更高的电压应用，而MOSFET解决方案具有更低的导通电阻和更低的漏电流，所以各有特色，也各有其所用。而且大多数低边开关会包含七个通道，可以并联连接以支持更高电流的操作。

　　本文主要就是参考TI的白皮书，有些部分我懒得自己翻译，就参考了第二篇文献，把其中一些语句改的更通俗易懂，并且加入了一些自己的理解。