时最简单的同步升压（Boost）电路。在该电路中，高边（以下称“HS”）SiC MOSFET与低边（以下称“LS”）SiC MOSFET的开关同步进行开关。当LS导通时，HS关断，而当LS关断时，HS导通，这样交替导通和关断。

　　由于这种开关工作，受开关侧LS电压和电流变化的影响，不仅在开关侧的LS产生浪涌，还会在同步侧的HS产生浪涌。

　　下面的波形图表示该电路中LS导通时和关断时的漏极－源极电压（VDS）和漏极电流（ID）的波形，以及栅极－源极电压（VGS）的动作。横轴表示时间，时间范围Tk（k=1～8）的定义如下：

　　在栅极－源极电压VGS中，发生箭头所指的事件（I）～（IV）。每条虚线是没有浪涌的原始波形。这些事件是由以下因素引起的：

　　在这里探讨的“栅极-源极电压产生的浪涌”就是指在这些事件中尤其影响工作的LS导通时HS发生的事件（II）以及 LS关断时HS发生的事件（IV）。

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　　忽略SiC MOSFET本身的封装电感和外围电路的布线电感的影响。特别是

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　　忽略SiC MOSFET本身的封装电感和外围电路的布线电感的影响。特别是

　　的行为，该图在之前的文章中也使用过。要想抑制事件（II），即HS（非开关侧）的VGS的正

　　抑制电路的米勒钳位用MOSFET Q2、或误导通抑制电容器C1是很有效的方法（参见下面的验证电路）。

　　的行为，该图在之前的文章中也使用过。要想抑制事件（IV），即HS（非开关侧）的VGS的负

　　抑制电路的米勒钳位用MOSFET Q2、或钳位用SBD（肖特基势垒二极管）D3是很有效的方法（参见下面的验证电路）。

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